大摆锤 裸舞 HBM3E 内存竞赛升温：三星 4 月出击，好意思光已高出一步

IT之家 4 月 10 日音书大摆锤 裸舞，韩媒 Sedaily 于 4 月 8 日发布博文，报说念称在好意思国新关税策略的不细则性下，存储巨头们并未放缓脚步，反而加快角逐 HBM3E 市集。

IT之家征引博文报说念，调养了 HBM3E 居品假想，筹谋本年 4 月向英伟达大限制供应 8H 版块。另一家韩国媒体 EBN 显现，若进展顺利，三星 12 层 HBM3E 有望 5 月取得英伟达认证。

SK 海力士始终称霸 HBM 市集，但好意思光正振奋为雄。另一家韩媒 Sisa Journal 指出，好意思光 3 月已通过 12 层 HBM3E 考据，并运行录用，援救最新 B300 居品。

国产女同

该媒体分析以为好意思光的 DRAM 总产能天然不足 SK 海力士，但其 10nm-class 1b 先进工艺占比更高。这让好意思光在居品性量上占优，尤其在 HBM 关节的散热惩办方面发扬隆起。

此外存储巨头也在加快鼓舞 HBM4 竞赛。三星筹谋 2025 年兑现 HBM4 量产，但其 10nm 1c DRAM 工艺尚未熟识，商量充满挑战。

Business Korea 早前提到，好意思光瞻望 2026 年推出 HBM4，而 2025 下半年出产的 HBM 多为 12 层居品。两大巨头在工夫升级上各有布局，改日竞争将更强烈。